Izolētu vārtu bipolāro tranzistoru lietošanas padomi
Mar 17, 2026
Atstāj ziņu
Izolētā vārtu bipolārais tranzistors (IGBT) ir sprieguma -vadāma komutācijas ierīce, ko plaši izmanto vidējas- līdz lielas jaudas-elektroniskajās sistēmās, apvienojot MOSFET augstās ieejas pretestības un vienkāršās piedziņas priekšrocības ar BJT zemo vadītspējas sprieguma kritumu un lielu strāvas{3}}pārvades spēju.
Pamata lietošanas punkti
Braukšanas sprieguma prasības
IGBT ir sprieguma{0}}vadāmas ierīces. Lai to ieslēgtu, starp vārtiem un emitētāju jāpieliek spriegums no +12V līdz +18V (tipiskā vērtība); izslēgšanai -var izmantot 0 V vai negatīvu spriegumu (piemēram, no -5 V līdz -15 V), lai uzlabotu prettraucējumu spēju un paātrinātu izslēgšanos.
Vārtu piedziņas spriegums nedrīkst pārsniegt ±20 V, pretējā gadījumā var tikt bojāts vārtu oksīda slānis.
Strāvas un sprieguma nominālā izvēle
IGBT var apstrādāt vairāku simtu ampēru strāvu (piemēram, virs 500 A) un vairāku tūkstošu voltu spriegumu. Izvēloties, ir jāatstāj 20% ~ 30% rezerve, lai izvairītos no pārsprieguma vai pārstrāvas bojājumiem.
Nosūtīt pieprasījumu